大幅提升半导体照明光电效率 三安光电获2019年度国家科技进步奖

　　原标题：大幅提升半导体照明光电效率 三安光电获2019年度国家科技进步奖一等奖

　　1月10日，2019年度国家科学技术奖揭晓，三安光电及中科院半导体研究所联合完成的“高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化”项目获国家科技进步奖一等奖。据介绍，该项目历时十余年，形成具有我国自主知识产权的高光效、长寿命半导体照明成套技术，关键指标达国际领先。项目成果实现大规模产业化推广，在北京奥运会、“十城万盏”示范工程等重大工程实现示范应用。

　　过去，半导体照明产品面临电光转化效率低、长期工作可靠性差、标准缺失等难题。该项目便主要面向这些难题，从半导体照明材料、芯片、封装、模组与应用全链条开展产研联合技术攻关，最终形成了具有自主知识产权的高光效长寿命半导体照明全套技术。

　　项目主要完成人、中科院半导体研究所研究员李晋闽介绍，目前，我国已有近50%的传统光源被LED产品所取代，每年累计实现节电约2800亿度，相当于3个三峡水利工程的发电量，超过澳大利亚全年用电量。

　　三安光电副总经理蔡文必表示，随着各国淘汰白炽灯计划进一步实施，LED 通用照明市场将呈现爆发式增长。此次项目成果多项技术率先在三安光电进行推广与量产，促进三安光电作为全球知名外延芯片厂的技术发展，实现了我国半导体照明芯片由完全依赖进口发展到自主可控全面国产化。

　　除了半导体照明领域，蔡文必还介绍，三安光电也在联合中科院等科研机构，向高端、新兴半导体照明领域加快拓展。目前，三安光电投资在“泉州芯谷”南安园区建设的半导体项目和湖北省鄂州市葛店经济技术开发区Mini/Micro LED显示芯片产业化项目建设进展顺利；三安项目分别投资高端氮化镓LED外延芯片、高端砷化镓LED外延芯片、Mini/Micro LED芯片、车用LED照明等领域。