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《陕西日报》2020年7月18日（记者 母家亮）题：陕西省科学技术奖励大会召开 胡和平颁奖 刘国中讲话
7月17日，陕西省科学技术奖励大会在西安召开。省委书记胡和平为2019年度陕西省最高科学技术奖获奖者颁发奖励证书。省长刘国中讲话。省委常委张广智、牛一兵、卢建军，省人大常委会副主任姜锋，省政协副主席李晓东出席。副省长程福波主持会议并宣读《陕西省人民政府关于2019年度陕西省科学技术奖励的决定》。 刘国中指出，过去一年，在以习近平同志为核心的党中央坚强领导下，我省科技事业取得显著进展，创新型省份建设步伐持续加快，全省高水平科技成果不断涌现，获得国家科学技术奖28项，主持完成的通用项目获奖数居全国第6位，高新技术企业数量净增首破千家，科学技术对经济社会发展的支撑引领作用日益显现。希望广大科技工作者坚持以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导，深入学习贯彻习近平总书记关于科技创新的重要论述，以获奖者为榜样，大胆创新、再接再厉，充分发挥创新引领发展的第一动力作用，加快推动我省由科教资源大省向创新驱动强省转变。 刘国中强调，要加大创新平台建设力度，加强应用研究和行业共性关键技术研发，努力形成一批优势学科、重点实验室和高水平科研基地等创新平台，不断增强原始创新能力和服务经济社会发展能力。要围绕产业链部署创新链，围绕创新链布局产业链，促进传统产业改造升级，壮大战略性新兴产业，不断提升我省产业基础能力和产业链水平。要进一步强化企业创新主体地位，千方百计支持企业创新，鼓励各类企业加大研发投入，引导促进各类创新要素向企业集聚。要深化科技创新体制机制改革，注重培养一线创新人才，推进大众创业万众创新，大力营造尊重知识、尊重科学、尊重人才、尊重创新的社会氛围。 杨绍卿院士、安芷生院士、郝跃院士代表获奖人员作了发言。 省直有关部门、各市、杨凌示范区、西咸新区、部分高校和科研院所主要负责同志以及获奖代表参加会议。
深耕微电子，引领新方向 《陕西日报》2020年7月18日（记者 张梅）“既然选择了做科研，就要瞄准国家重大需求，脚踏实地，择善而固执。”2019年度陕西省最高科学技术奖获得者、中国科学院院士、西安电子科技大学学术委员会主任郝跃表示。 他以自身经历，诠释了科学家的责任与担当。 “微电子不微。”这是郝跃常说的一句话。随着信息科技的发展，以集成电路芯片为核心的微电子技术，不仅与我们的生活息息相关，更是国家核心竞争力的体现。新型氮化物半导体国际上称为第三代材料，又称为宽禁带半导体材料。氮化物半导体器件在通信、电力系统、照明、生物、医疗，以及军事领域具有十分广泛的应用前景。 突破高质量的宽禁带半导体材料，通过一系列微电子工艺技术做成宽禁带半导体器件和集成电路，再把其推广应用到生产生活各个领域，是郝跃及其团队的责任和使命。 郝跃1982年毕业于西北电讯工程学院（西安电子科技大学前身），1998年获国家科技进步奖三等奖，2008年和2009年分获国家科技进步奖二等奖和国家技术发明奖二等奖，2010年获“何梁何利”科学与技术进步奖，2013年当选中国科学院院士，2015年再获国家科技进步奖二等奖。2019年他的团队获得了国家科技进步奖一等奖。 国内对宽禁带半导体的研究，始于20世纪90年代中后期。那时候，相关领域的科学家和技术人员还很少注意到这类新奇的半导体材料。 “要寻找新的研究方向！”当时，郝跃敏锐地觉察到这一点。经过研究和考察，他果断选择了国际上刚刚起步的宽禁带半导体材料与器件研究作为新的研究方向。 从1998年开始，在这个当时别人看来还是“冷门”的研究领域，郝跃带领团队坚持攻关，并为这一学科的建设不断努力。郝跃和团队相继提出一系列具有创新性的高质量材料生成方法、新型半导体材料与器件结构的设想。在他的带领下，团队以基础理论和机理研究为基础，瞄准新的材料，以新材料推动器件发展，以器件发展推动应用，最终应用于国民经济和国防建设。 2004年，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室挂牌，这个专门的机构为更深入地进行科学研究提供了有力支撑；2005年前后，国内宽禁带半导体产业开始发展之时，西安电子科技大学的宽禁带半导体研究已经有了深厚的积累，出版了国内最早探讨宽禁带半导体的专著《碳化硅宽带隙半导体技术》；2007年，宽带隙半导体技术国家重点学科实验室获批；2019年，国家工程研究中心建设获批。 如今，以郝跃为学术带头人的宽带隙半导体技术国家重点学科实验室，已成为国内外宽禁带半导体材料和器件科学研究、人才培养、学术交流、成果转化方面的重要基地，引领我国宽禁带半导体研究自主发展，服务产业工程应用。 在不断突破宽禁带半导体领域基础研究的基础上，郝跃及其团队坚持服务国家重大需求。他主持的研究成果突破了氮化物半导体材料和核心设备、先进的氮化镓微波和毫米波高功率、高效率电子器件，以及紫外和深紫外氮化镓光电LED的核心技术；将氮化镓微波功率器件的效率提高到了当前国际最高纪录的85%，几乎达到了半导体微波功率器件电能转换的极限；攻克了氮化镓基紫外与深紫外LED关键技术，实现了我国在该领域的重大突破。目前，这些成果在4G和5G通信的基站、先进雷达系统、电力电子系统、紫外医疗、彩色印刷固化等领域都得到了广泛应用。 |
